重庆快乐十分

信息存储应用技术
  • 非易失性半导体存储装置的制作方法
    本发明涉及一种非易失性半导体存储装置。已知具有单层多晶硅栅极结构的非易失性半导体存储装置是作为可通过一般的CMOS(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor:互补金属氧化物半导体)工艺容易地制造的存储装置。作为这种非易失性半导体存储装置,专利文献1中公...
  • 一种测试SSD标签信息的方法及其装置与流程
    本发明涉及SSD标签信息检查,更具体地说是指一种测试SSD标签信息的方法及其装置。SSD的标签信息有很多,比如序列号、型号等等。这些信息非常重要,如果错误的标签信息的样品送到ODM工厂或者客户手上,那么会造成非常大的麻烦。在现有的测试SSD标签信息的技术上,都是手工逐一检查标签与C...
  • 动态随机存取存储器器件和存储器系统的制作方法
    本专利申请要求2018年4月27日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2018-0048976的优先权,其全部内容通过引用合并于此。根据示例实施例的器件和系统涉及动态随机存取存储器(DRAM)器件和具有DRAM器件的存储器系统。应用于网络装置的存储器系统可以包...
  • 半导体系统、半导体芯片和半导体存储系统的制作方法
    本申请要求2018年4月26日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0048725的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。各种实施例总体可以涉及一种半导体系统、半导体芯片和包括其的半导体存储系统,更具体地,涉及一种能够提高测试良率(testyield)的半导体系统...
  • 错误校正电路及操作该错误校正电路的方法与流程
    本申请要求于2018年4月30日提交的申请号为10-2018-0050213的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。本公开的各个实施例总体涉及一种错误校正电路及操作该错误校正电路的方法。特别地,实施例涉及一种用于减少错误校正解码所需时间的错误校正电路及操作该错误校正电路的方法。...
  • 用于控制刷新操作的存储器控制器及包括其的存储系统的制作方法
    本申请要求于2018年4月30日提交的申请号为10-2018-0049941的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体并入本文。本公开涉及用于控制存储器模块的刷新操作的存储器控制器,以及包括该存储器控制器的存储系统。存储系统应用于各种消费电子设备和工业电子设备,例如,计算机、移动电话、...
  • 一种可参数化配置的存储器内建自测试电路的制作方法
    本发明涉及存储器测试领域,具体涉及一种可参数化配置的存储器内建自测试电路。如今移动物联网的快速发展对智能移动设备的处理能力提出越来越高的要求,嵌入式存储器代表了片上系统(SystemonChip,SoC)中绝大多数嵌入式电子器件。在2002年就有超过50%的芯片面积包含各种功能的存储器...
  • 移位寄存器的制作方法
    本发明是有关于一种移位寄存器,且特别是有关于通过补充电路维持电压的一种移位寄存器。触控显示面板包含栅极驱动器(gatedriver)以及源极驱动器(sourcedriver)。在目前的触控显示面板设计中,栅极驱动器用以每隔固定间隔输出扫描信号至触控显示面板。栅极驱动器包含多个移位寄存器...
  • 基于单阻变器件的27种三值单变量函数实现方法与流程
    本发明涉及一种实现单变量函数的方法,尤其是涉及一种基于单阻变器件的27种三值单变量函数实现方法基于单阻变器件的27种三值单变量函数实现方法。在电路设计中,单变量函数f(x)作为实现一些数字功能的手段,得到了频繁的应用。在三值逻辑中,单变量函数f(x)的变量x的取值有0、1和2三种,即x∈{...
  • 存储器及信号处理方法与流程
    本申请涉及通信及存储,特别涉及存储器及信号处理方法。静态随机存储器(staticrandomaccessmemory,SRAM)是一种被广泛使用的半导体存储器,可用于多种场景,例如可用于设计以太网交换芯片,提供高速缓存和表项存储功能等。SRAM中的数据存储在由位单元(bitc...
  • 非挥发性存储内存及其存储单元的制作方法
    本发明涉及存储,尤其涉及一种非挥发性存储内存及其存储单元。非挥发性SRAM(Non-volatileSRAM,nvSRAM)是一种非挥发性随机储存内存,其操作方法和普通的静态随机存取内存(StaticRandom-AccessMemory,SRAM)大同小异,但却不需要供电来...
  • 存储器件及其信号发送电路的制作方法
    本申请要求2018年4月30日提交的申请号为10-2018-0049942的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并与此。本发明的各种实施例总体而言涉及一种存储器件。具体地说,这些实施例涉及一种存储器件的信号发送电路。在存储器件中,用于传输各种信号的信号线可以很长、跨过各种...
  • DRAM的泵浦电路及泵浦电流产生方法与流程
    本公开主张2018/04/30申请的美国正式申请案第15/967,069号的优先权及益处,该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种电路、一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory,DRAM)以及一种电流产生方法,特别涉及一种泵浦电路、一...
  • 基于铁电晶体管的非易失存储器的制作方法
    本发明涉及低功耗非易失存储器结构设计,特别涉及一种基于铁电晶体管的非易失存储器。当今时代下,随着信息量的日益扩大,人们为了防止存储信息丢失,对存储器的非易失性能提出了更高的要求。很多存储器,例如,DRAM(dynamicrandomaccessmemory,动态随机存储器),...
  • 半导体器件的制作方法
    本申请要求于2018年4月30日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0050147的韩国申请的优先权,其通过引用整体并入本文。各种实施例总体而言涉及半导体器件,更具体地,涉及与减小信号传输路径有关的技术。随着对高容量存储器的需求的增加,正在制造每单位面积包括更多存储单元的...
  • 半导体器件的制作方法
    本申请要求于2018年4月27日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0048998的韩国申请的优先权,该申请通过引用整体合并于此。本公开的实施例涉及一种被配置为与分频时钟信号同步地输出数据的半导体器件。近来,随着半导体系统的操作速度加快,在半导体系统中所包括的半导体器件之...
  • 控制器及其操作方法与流程
    本申请要求于2018年4月26日提交的申请号为10-2018-0048743的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体并入本文。本公开的各种实施例总体涉及一种电子装置。特别地,实施例涉及一种控制器以及操作该控制器的方法。通常,半导体存储器装置可以具有二维结构或三维结构,在二维结构中将...
  • 电荷转移型灵敏放大器及应用于其中的参考电压产生电路的制作方法
    本发明涉及一种半导体集成电路,尤其涉及一种电荷转移型灵敏放大器及应用于其中的参考电压产生电路。电荷转移型灵敏放大器是半导体集成电路的常用电路,请参阅图1,图1为现有技术的电荷转移型灵敏放大器的电路示意图,如图1所示,现有的电荷转移型灵敏放大器包括:比较器120,比较器120的反相输入端接收...
  • 电平移位器和包括该电平移位器的存储系统的制作方法
    本公开总体涉及一种电子设备,并且更具体地,涉及一种电平移位器和包括该电平移位器的存储系统。随着使用存储系统作为存储介质的移动信息设备(特别是,智能手机和平板个人计算机(PC)等)受到越来越多的使用,对存储器件的兴趣以及存储器件的重要性进一步增加。随着除了使用高速处理器或多核的并行化之外的各...
  • 减震螺丝、采用该减震螺丝的硬盘固定装置及硬盘模组的制作方法
    本发明涉及一种减震螺丝、采用该减震螺丝的硬盘固定装置及硬盘模组。随着电子技术的发展,硬盘的应用已经相当普及,同时硬盘的安装及固定是电脑的重点和难点。通常硬盘的固定分为三步:第一,将减震螺丝安装于硬盘支架上;第二,将硬盘放入已安装减震螺丝的硬盘支架内;第三,将装好硬盘的硬盘支架装入硬盘支架上...
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