重庆快乐十分

无机化学及其化合物制造及其合成,应用技术
  • 一种He离子束加工单晶硅的损伤轮廓确定方法与流程
    本发明涉及MEMS微机电系统聚焦He离子束加工单晶硅,尤其涉及一种He离子束加工单晶硅的损伤轮廓确定方法。聚焦离子束(FocusedIonBeam,简称FIB)加工工艺是一种重要的微机电系统加工方法,其通过高能离子束轰击基底材料表面以去除材料而进行微纳结构的直接加工。它采用液态离子源发...
  • 本发明涉及硫酸钙晶须生产领域,具体涉及一种使用纯碱蒸氨废液生产硫酸钙晶须的方法。氨碱法生产纯碱历史悠久、技术成熟、产品纯度高、质量好等特点。对我国沿海和盐湖地区具有巨大优势,但氨碱法生产纯碱会产生的数量巨大的废液、废渣、二氧化碳废气。其中蒸氨废液含有大量的氯化钙、氯化钠,氨氮、氢氧化钙、p...
  • 一种碳化硅单晶连续生长装置及其生长方法与流程
    本发明涉及一种碳化硅单晶连续生长装置及其生长方法。物理气相输运法(PVT法)是碳化硅单晶生长的主要技术方法,该方法是将碳化硅多晶原料装在筒形石墨坩埚本体底部,用石墨坩埚盖将石墨坩埚本体盖上,形成一个密闭空间,石墨坩埚盖下表面安装有碳化硅籽晶,通过对石墨坩埚本体、石墨坩埚盖组成的系统...
  • 坩埚和SiC单晶生长装置的制作方法
    本发明涉及坩埚和SiC单晶生长装置。碳化硅(SiC)具有特征性的特性。例如,与硅(Si)相比,绝缘击穿电场大一个数量级,带隙大3倍,热导率高3倍左右。因而,期待着碳化硅(SiC)应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。随着近年的技术开发,要求使用SiC的SiC器件低价格化。SiC器件通过...
  • 化合物硅酸铅锶和硅酸铅锶非线性光学晶体及制备方法和用途与流程
    本发明涉及化学式为PbSrSiO4的化合物硅酸铅锶非线性光学晶体,晶体的制备方法和利用该晶体制作的非线性光学器件。紫外(UV)或深紫外(DUV)非线性光学(NLO)材料在激光频率转换、光刻、半导体光刻等方面起着重要的作用。由于它们在过去几十年中能够产生相干的UV或DUV光,因此获得了一些U...
  • 一种掺谱钪酸钆可见波段激光晶体及其制备方法与流程
    本发明可见波段激光晶体及其制备方法,特别涉及一种掺谱钪酸钆激光晶体及其制备方法,属于激光材料。随着信息化时代的发展,人们对特殊波段激光的关注越来越多。可见光(380~780nm)激光不仅在人们日常生活中有广泛的应用(比如激光头灯、激光提示器、医学、投影仪以及数据存储方面),并且也能...
  • 一种用于X射线探测的Cs2AgBiBr6双钙钛矿晶体的制备方法与流程
    本发明涉及一种晶体的制备方法,尤其是涉及一种用于X射线探测的Cs2AgBiBr6双钙钛矿晶体的制备方法。Cs2AgBiBr6无铅双钙钛矿是一种新型的半导体材料,其通过异价取代的方式解决了Pb基钙钛矿的毒性的问题,并且由于其具有长载流子寿命和较优异的结构稳定性,已被广泛应用在了光伏电池、光电...
  • 一种位错密度低、优质晶粒占比高的全融高效多晶硅锭制备方法与流程
    本发明涉及一种降低全融高效多晶硅锭中的位错,提高全融高效多晶硅锭中优质晶粒比例的方法,属于光伏铸锭领域。近几年单晶硅片成本大幅下降,电池端新兴的PERC、HIT、双面等技术在单晶电池上增益更大,多晶电池与单晶电池的效率差距逐渐拉大,多晶铸锭企业和多晶电池企业面临着较大的挑战,如何提高多晶硅...
  • 硅单晶的制造方法及硅单晶的提拉装置与流程
    本发明涉及硅单晶的制造方法及硅单晶的提拉装置。在被用作半导体用晶片的情况下,硅单晶中的高浓度的碳成为引起半导体设备不良的原因。这里,已知通过控制从炉内的加热器、石墨坩堝等的高温碳部件混入到原料熔液中的CO的污染速度和从原料熔液的CO的蒸发速度来降低结晶中的碳浓度。另外,来自高温碳部件的CO...
  • 单晶石墨烯的制备方法与流程
    本发明属于半导体材料制备,尤其涉及一种单晶石墨烯的制备方法。石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角形且呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料,具有优异的光学、电学、力学特性,在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景,被认为是一种未来革命性的材料。石墨烯常见的粉...
  • 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法与流程
    本发明属于新能源材料及晶体生长,特别涉及一种高质量氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其生长方法。二十世纪以来,随着工业的快速发展,伴随而来的是能源危机和环境污染加剧,因此可环保节能的能源技术成为人们研究的关注重点。据美国能源部的统计,2002年美国排放到环境中的废热占总能源的55...
  • SiC单晶生长装置和SiC单晶的生长方法与流程
    本发明涉及SiC单晶生长装置和SiC单晶的生长方法。本申请基于在2018年4月26日在日本申请的专利申请2018-85806号要求优先权,在此援引其内容。碳化硅(SiC)与硅(Si)相比,绝缘击穿电场大1个数量级,带隙大3倍。另外,碳化硅(SiC)具有与硅(Si)相比导热率高出3倍左右等的...
  • 晶体生长炉的制作方法
    本申请涉及半导体加工,具体而言,本申请涉及一种晶体生长炉。目前,碳化硅作为第三代宽带隙半导体材料,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度、化学性能稳定、高硬度及抗磨损等特点,使得碳化硅器件在航空、航天探测、核能开发、石油、地热钻井勘探及汽车发动机等领域有着重要的应用...
  • 一种区熔-定向凝固炉及半导体热电材料的合成方法与流程
    本发明涉及材料合成领域,尤其涉及一种区熔-定向凝固炉及半导体热电材料的合成方法。温差电(TE)现象也称热电现象。1822年,ThomasSeebeck发现温差电动势效应(TE材料发电原理);1834年,JeanPeltier发现电流回路中两不同材料导体结界面处的降温效应(TE材...
  • 一种降低单品硅热场坩埚使用损坏的方法与流程
    本发明涉及热场坩埚,尤其涉及一种降低单品硅热场坩埚使用损坏的方法。随着能源危机以及雾霾、温室效应等环境问题的日趋严重,能源转型迫在眉睫,由于光伏能源具备清洁无污染,储量大等优势,光伏行业受到各国政府的大力支持,技术上取得了巨大的进步,得到越来越广泛的应用,太阳能成为当今最具发展潜力...
  • 一种晶体高质量快速生长控制方法与流程
    本发明涉及新型晶体生长控制系统,具体涉及一种晶体高质量快速生长控制方法,属于生产过程控制领域。磷酸二氢钾晶体是一类优良的电光非线性光学材料,因其具有较大的电光和非线性光学系数、高的光损伤阈值、低的光学吸收、高的光学均匀性和良好的透过波段等特点而被广泛应用于激光、电光调制和光快速开关等高技术...
  • 一种基于添加晶种的球型羧甲基纤维素斯蒂芬酸钡制备方法与流程
    本发明涉及一种球型羧斯钡的制备方法,尤其涉及一种基于添加晶种的球型羧甲基纤维素斯蒂芬酸钡制备方法,属于火工药剂制造。羧甲基纤维素斯蒂芬酸钡,简称羧斯钡,静电感度低,火焰感度高,以其良好的物理、化学安定性和稳定的燃烧爆炸性能,作为主装药广泛应用于点火器。目前球型羧斯钡的制备是在晶形控...
  • 一种基于低温燃料的化学点火装置及方法与流程
    本发明涉及火箭发动机的点火方法,具体涉及一种基于低温燃料的化学点火装置及方法。对于非自燃双组元火箭发动机,化学点火是一种重要的点火方式。在发动机起动过程中,燃料将点火剂挤入燃烧组件完成点火,并实现点火剂与燃料的平缓接力,该点火方案简单、可靠,在液氧煤油发动机上应用成熟。然而,对于低温推进剂...
  • 一种自动加药设备的制作方法
    本发明涉及民爆,具体而言,涉及一种自动加药设备。民爆行业属于高危行业,在民爆行业中,提升导爆管、雷管装配线的自动化水平、本质安全、生产效率和降低成本是行业各个生产厂家努力追求的目标。现在的导爆管雷管装配线众多环节需要操作工人直接参与,不利于提高生产效率和实现安全生产,该项技术弥补了...
  • 本发明涉及炸药领域,尤其涉及一种环保型乳化炸药。环保型乳化炸药是一种油包水型的乳胶状炸药,由水相溶液、碳氢燃料、复合乳化剂、密度调节剂、敏化剂和发泡促进剂等经化学加工方法调制而成,在爆破等场所应用较为常见。现有乳化炸药的爆炸的燃烧物质成本高导致乳化炸药的生产效益低且炸药的安全性不佳,炸药的...
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